[实用新型]用于化学处理半导体衬底的装置有效
| 申请号： | 201620228808.X | 申请日： | 2016-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN205828351U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 彼得·法思;斯蒂芬·凯勒;伊霍·梅尔尼克 | 申请（专利权）人： | RCT解决方案有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及用于化学处理半导体衬底的装置。其中，一种用于化学处理半导体衬底(2)的装置(1)具有预处理装置(4)，该预处理装置在该半导体衬底(2)的传输方向(3)上设置在第一涂敷装置(5)和第二涂敷装置(6)之前。该预处理装置(4)用于在该半导体衬底(2)上生成环绕的限定区域，使得之后借助该第一涂敷装置(5)所施加的保护流体(22)被限定并被保持于衬底上侧(23)上。由此避免了在之后的第二涂敷装置(6)中该保护流体(22)对处理流体(28)的污染，由此该装置(1)以简单的方式具有高的经济性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 处理 半导体 衬底 装置 | ||
【主权项】：
一种用于化学处理半导体衬底的装置，其具有‑第一涂敷装置(5)，以把保护流体(22)施加到半导体衬底(2)的衬底上侧(23)上，以及‑第二涂敷装置(6)，以把处理流体(28)施加到半导体衬底(2)的要处理的衬底下侧(29)上，其中该第二涂敷装置在半导体衬底(2)的传输方向(3)上设置在该第一涂敷装置(5)之后，其特征在于，预处理装置(4)在该传输方向(3)上布置在该第一涂敷装置(5)之前并被构造为使得在半导体衬底(2)上生成环绕的并对要施加的保护流体(22)进行限定的限定区域(36)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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