[实用新型]一种高压整流二极管芯片

摘要

本实用新型公开了一种高压整流二极管芯片，该芯片在P^‑型阳极区的四周设有钝化沟槽，钝化沟槽延伸至N型衬底，钝化沟槽的内表面设有玻璃钝化膜，P^‑型阳极区的正面设有SiO₂膜和阳极金属电极，阳极金属电极与P^‑型阳极区之间设有P⁺型阳极区，P⁺型阳极区与钝化沟槽之间留有间距。该芯片通过在P⁺型阳极区与钝化沟槽之间设置一定的间距，使PN结终端的耗尽层始终在P^‑型阳极区，确保表面电场与体内电场强度一致，从而使耗尽层有更大的扩展空间，反向击穿多数发生在体内击穿，有效提高了反向击穿电压；同时该芯片结构简单，制造成本低，有效提高了芯片的制造效率和质量。

主权项

一种高压整流二极管芯片，包括N型衬底，所述N型衬底的背面设有N⁺型阴极区，所述N⁺型阴极区的背面设有阴极金属电极，所述N型衬底的正面设有P^‑型阳极区，其特征在于：所述P^‑型阳极区的四周设有钝化沟槽，所述钝化沟槽延伸至N型衬底，所述钝化沟槽的内表面设有玻璃钝化膜，所述P^‑型阳极区的正面设有SiO₂膜和阳极金属电极，所述阳极金属电极与P^‑型阳极区之间设有P⁺型阳极区，所述P⁺型阳极区与钝化沟槽之间留有间距。