[实用新型]一种具有快速恢复功能的二极管

摘要

本实用新型公开了一种具有快速恢复功能的二极管，包括二极管主体，所述N型掺杂区连接N型衬底，本征区连接P型掺杂区，所述N型掺杂区的表面设有氧化层，所述氧化层的表面设有介质层，所述N型掺杂区和本征区通过空穴移动和电子移动连通，所述P型掺杂区中相间分布有低浓度P型掺杂区和高浓度P型掺杂，所述高浓度P型掺杂连接发射极金属层，所述低浓度P型掺杂区连接氧化膜，该具有快速恢复的二极管，通过氧化层与氧化膜连通，有效的提高氧化速率，利用低浓度P型掺杂区和高浓度P型掺杂分别与本征区连通，利用介质层与金属发射层同时作用于PN结结合，有效的增加空穴移动与电子结合的速率，二极管改变方向时，更有效的达到工作状态。

主权项

一种具有快速恢复功能的二极管，包括二极管主体(1)，所述二极管主体(1)包括N型衬底(2)、N型掺杂区(3)、本征区(4)和P型掺杂区(12)，所述N型掺杂区(3)连接N型衬底(2)，本征区(4)连接P型掺杂区(12)，其特征在于：所述N型掺杂区(3)的表面设有氧化层(5)，所述氧化层(5)的表面设有介质层(6)，所述介质层(6)的表面设有光刻胶(7)，所述N型掺杂区(3)和本征区(4)通过空穴移动和电子移动连通，所述P型掺杂区(12)中相间分布有低浓度P型掺杂区(8)和高浓度P型掺杂(9)，所述高浓度P型掺杂(9)连接发射极金属层(10)，所述低浓度P型掺杂区(8)连接氧化膜(11)，且氧化膜(11)与氧化层(5)连通。