[发明专利]主动阵列基板的制造方法有效
| 申请号： | 201611270692.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106653688B | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种主动阵列基板的制造方法，包括：提供基板；形成栅极于基板上；依序形成栅极绝缘层、半导体层及欧姆接触层于所述透明基材及所述栅极上；形成源电极及漏电极于所述欧姆接触层上；形成保护层于所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极；其中，所述栅极绝缘层包括纳米多孔硅及纳米颗粒，所述纳米颗粒的介电常数大于硅层的介电常数。本发明可实现栅极绝缘层的介电常数可调。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种主动阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供基板；形成栅极于基板上；依序形成栅极绝缘层、半导体层及欧姆接触层于所述基板及所述栅极上；形成源电极及漏电极于所述欧姆接触层上；形成保护层于所述源电极及所述漏电极上；以及形成像素电极层于所述保护层上，其中所述像素电极层是电性连接于所述漏电极；其中，所述栅极绝缘层包括纳米多孔硅及纳米颗粒，所述纳米颗粒的介电常数大于所述纳米多孔硅的介电常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
