[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611239029.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108257942B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 林静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的第一金属层；位于所述第一金属层上的第一阻挡层；位于所述第一阻挡层上的中间介质层；位于所述中间介质层上的第二阻挡层；位于所述第二阻挡层上的第二金属层。本发明改善了半导体结构中MIM电容器的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的第一金属层；位于所述第一金属层上的第一阻挡层；位于所述第一阻挡层上的中间介质层；位于所述中间介质层上的第二阻挡层；位于所述第二阻挡层上的第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611239029.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件的测试结构和测试方法
- 下一篇：光电探测器与其制作方法
