[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611168702.6 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108206159B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王青鹏;毛刚;赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，所述鳍部隔离区中具有开口，所述开口在垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；在所述衬底上和开口中形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁；对所述初始隔离结构进行刻蚀处理，减小所述初始隔离结构的厚度，形成隔离结构，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；在所述开口中的隔离结构上形成隔离层。其中，所述刻蚀处理的刻蚀工艺的选择较灵活，从而可以通过选择合适的刻蚀反应物以及刻蚀工艺参数以减小刻蚀处理过程对鳍部的损耗，改善所形成半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部，所述鳍部包括隔离区和位于所述隔离区两侧的器件区，所述鳍部隔离区中具有开口，所述开口在垂直于所述鳍部延伸方向上贯穿所述鳍部；在所述衬底上和开口中形成初始隔离结构，所述初始隔离结构覆盖所述鳍部侧壁；对所述初始隔离结构进行刻蚀处理，减小所述初始隔离结构的厚度，形成隔离结构，所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；在所述开口中的隔离结构上形成隔离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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