[发明专利]磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法

摘要

本发明涉及磁控溅射低温制备二氧化钒薄膜的方法，所述方法为在形成有Cr₂O₃层的衬底上磁控溅射二氧化钒薄膜，所述衬底的温度为200℃以下，优选为150～200℃。本发明采用的Cr₂O₃层（Cr₂O₃缓冲层）材料在可见光区域透明、结晶温度低、晶格常数与结构与VO₂能够很好地匹配，可在二氧化钒生长过程中起到模板诱导生长的作用，从而可显著降低VO₂薄膜的制备温度。

主权项

1.一种低温沉积二氧化钒热致变色薄膜的方法，其特征在于，包括：/n（1）在玻璃衬底上制备Cr₂O₃层，所述Cr₂O₃层通过磁控溅射方法制备，所述Cr₂O₃层的制备中，/n以Cr为靶材，溅射电源采用直流或射频溅射，以高纯Ar气和O₂气为工作气体，Ar气和O₂气流量比为（0.25～4）：1；或者以Cr₂O₃陶瓷为靶材，溅射电源采用射频溅射，以Ar工作气体；/n背底真空小于5×10^-3Pa，溅射时工作气体的总压保持在0.2～1.2Pa，衬底温度为150～190℃，溅射功率为50～200 W；/n（2）在形成有Cr₂O₃层的玻璃衬底上磁控溅射二氧化钒薄膜，二氧化钒薄膜的制备中，/n以金属V靶为靶材，溅射方式采用直流或射频，以高纯Ar气和O₂气为工作气体，Ar气和O₂气流量比（10～12）：1；或者/n以V₂O₃靶或VO₂靶为靶材，溅射方式采用直流或射频，以高纯Ar气和O₂气为工作气体，Ar气和O₂气流量比为（20～40）：1；或者/n以V₂O₅靶为靶材，溅射方式采用射频，以高纯Ar气和H₂气为工作气体，Ar气和H₂气流量比为（15～40）：1，/n背底真空小于5×10^-3Pa，溅射时工作气体的总压保持在0.2～1.2Pa，衬底温度为150～190℃，溅射功率为20 ～200W。/n