[发明专利]一种VDMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201611144025.4 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106783621A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郑莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L21/762 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种VDMOS器件的制造方法，属于半导体分立器件制造技术领域。该方法通过将栅氧工艺安排在P体区注入和N+源区注入之后，用以避免现有技术中的高温过程，提高栅氧质量，同时，将P体区和N+源区注入光刻掩膜版合二为一，减少N+源区注入光刻版，节省成本，并采用LOCOS工艺增加在P体区间的氧化层厚度，提高器件的抗击穿能力和动态特性。该发明提高了VDMOS器件的抗辐照性能，同时使得VDMOS动态性能得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种VDMOS器件的制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)在半导体衬底上制备外延层和生长场氧，场氧为SiO2厚氧层；(2)在SiO2厚氧层两侧形成两个p体区，然后在两个p体区内形成N+源区；(3)在SiO2厚氧层、N+源极区和p体区上方形成栅氧层(栅介质层)；(4)在SiO2厚氧层、部分N+源区和部分p体区上方形成栅极区；(5)在栅极区和所述栅氧层上方形成介质层；(6)在所述介质层两端刻蚀形成源极接触孔；(7)在所述源极接触孔内部形成源极金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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