[发明专利]一种VDMOS器件的制造方法在审
| 申请号： | 201611144025.4 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN106783621A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 郑莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L21/762 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人： | 许宗富,周秀梅 |
| 地址： | 110032 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 vdmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种VDMOS器件的制造方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：
(1)在半导体衬底上制备外延层和生长场氧，场氧为SiO2厚氧层；
(2)在SiO2厚氧层两侧形成两个p体区，然后在两个p体区内形成N+源区；
(3)在SiO2厚氧层、N+源极区和p体区上方形成栅氧层(栅介质层)；
(4)在SiO2厚氧层、部分N+源区和部分p体区上方形成栅极区；
(5)在栅极区和所述栅氧层上方形成介质层；
(6)在所述介质层两端刻蚀形成源极接触孔；
(7)在所述源极接触孔内部形成源极金属层。
2.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤(1)中，采用LOCOS工艺制备SiO2厚氧层，具体制备过程为：在外延层表面两侧依次进行热氧氧化和硬掩膜淀积，分别形成SiO2氧化层和Si3N4硬掩膜；然后利用化学或物理淀积工艺淀积SiO2厚氧层，并去除硬掩膜。
3.根据权利要求1或2所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述SiO2厚氧层位于两个p体区之间，SiO2厚氧层的厚度为0.4μm～1.2μm。
4.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述栅氧层在p体区掺杂和N+源区掺杂之后形成。
5.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述栅氧层材料为SrTiO3、HfO2、ZrO2或SiO2。
6.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤(5)中，所述介质层采用化学气相淀积或等离子体化学气相淀积工艺制备，介质层材料为SiO2、SiO2/Si3N4复合层或硼硅玻璃。
7.根据权利要求1所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤(7)中，所述源极金属层采用蒸发或溅射的方法制备，源极金属层的厚度为1.2μm～6μm。
8.根据权利要求1或7所述的VDMOS器件的制造方法，其特征在于：步骤(7)中，所述源极金属层同时接触介质层、N+源区和p体区。
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