[发明专利]双位3T高密度MTPROM阵列及其操作方法有效
| 申请号： | 201611113722.3 | 申请日： | 2016-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107025939B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | R·拉加万;B·贾亚拉曼;J·维拉拉格哈万;T·肯庞纳;R·R·图姆穆鲁;T·基里哈塔 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及双位3T高密度MTPROM阵列，其提供一种多次可编程存储器(MTPM)存储器单元及其操作方法。各MTPM位单元包括：第一FET晶体管与第二FET晶体管具有第一共同连接，且第二FET晶体管与第三FET晶体管具有第二共同连接，第一与第二相连的FET晶体管可编程以储存第一位值，且第二FET与第三相连的FET晶体管可编程以储存第二位值，其中，第一FET晶体管呈现低阈值电压值(LVT)，第二FET晶体管呈现高阈值电压值(HVT)以及第三FET晶体管呈现低于HVT的阈值LVT。MTPM单元使两位信息能够被储存为类似电熔丝的默认位值。为储存相反的位值，编程LVT晶体管以使其阈值电压值高于HVT的阈值电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 mtprom 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种多次可编程(multi‑time programmable；MTP)位单元，包括：第一FET晶体管与第二FET晶体管具有第一共同连接，且该第二FET晶体管与第三FET晶体管具有第二共同连接，该第一与第二相连的FET晶体管可编程以储存第一位值，且该第二FET与该第三相连的FET晶体管可编程以储存第二位值，其中，该第一FET晶体管呈现低阈值电压值(LVT)，该第二FET晶体管呈现高阈值电压值HVT以及该第三FET晶体管呈现低于HVT的阈值LVT。
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