[发明专利]鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构

摘要

一种鳍式场效应管的形成方法以及半导体结构，包括：提供基底，包括用于形成第一鳍部的第一区域以及用于第二鳍部的第二区域，沿垂直于鳍部延伸方向上，第一鳍部尺寸小于第二鳍部尺寸；在基底上形成硬掩膜层；在第二区域硬掩膜层的侧壁上形成第一侧壁层，位于第一区域的硬掩膜层、以及位于第二区域的硬掩膜层和第一侧壁层构成掩模结构；以掩膜结构为掩膜刻蚀基底，形成衬底和位于衬底上分立的鳍部；位于第一区域衬底上的鳍部为第一鳍部，位于第二区域衬底上的鳍部为第二鳍部。本发明以掩模结构为掩膜刻蚀基底，使得沿垂直于鳍部延伸方向上，所形成第一鳍部的尺寸小于第二鳍部的尺寸，本发明提供的形成方法工艺简单，且还节约了半导体生产成本。

主权项

一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成第一鳍部的第一区域，以及用于第二鳍部的第二区域，其中沿垂直于鳍部延伸的方向上，所述第一鳍部的尺寸小于所述第二鳍部的尺寸；在所述基底上形成多个相互平行的硬掩膜层；在所述第二区域硬掩膜层的侧壁上形成第一侧壁层，位于所述第一区域的硬掩膜层、以及位于所述第二区域的硬掩膜层和第一侧壁层构成掩模结构；以所述掩模结构为掩膜刻蚀所述基底，形成衬底和位于所述衬底上分立的鳍部；位于所述第一区域衬底上的鳍部为第一鳍部，位于所述第二区域衬底上的鳍部为第二鳍部。