[发明专利]一种GaAs基PMOS界面结构在审
| 申请号： | 201611079791.7 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN106784003A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;王勇;丁超 | 申请（专利权）人： | 东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/205 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种GaAs基PMOS界面结构，其结构依次为一N型掺杂的砷化镓沟道层，一在砷化镓沟道层上生长的N型掺杂的In0.51Ga0.49P界面层；一在该In0.51Ga0.49P界面层上生长的4纳米厚度的Al2O3介质层；一在该Al2O3介质层上沉积的100纳米铝栅金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gaas pmos 界面 结构 | ||
【主权项】：
一种GaAs沟道PMOS界面结构，其结构依次是：一30纳米厚度的N型掺杂的砷化镓沟道层；一在该砷化镓沟道层上生长的N型掺杂的In0.51Ga0.49P界面层；一在该In0.51Ga0.49P界面层上生长的Al2O3介质层；一在该Al2O3介质层上沉积的铝栅金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院，未经东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611079791.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种制造N沟道增强型MOS晶体管器件的方法
- 下一篇：一种石墨烯晶体管结构
- 同类专利
- 专利分类
