[发明专利]芯片电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201611069178.7 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106469610B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 冈田博行;不破保博 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/015 | 分类号： | H01G4/015;H01G4/33;H01G4/38;H01G4/40;H01G5/011;H01G5/38;H01L27/01;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能以公共的设计来容易且迅速地与多种电容值对应的芯片电容器及其制造方法。芯片电容器(1)包含：基板(2)、配置于基板上的第1外部电极(3)、第2外部电极(4)、电容器元件(C1～C19)及熔断器(F1～F9)。电容器元件(C1～C19)包含：第1电极膜(11)、第1电极膜(11)上的第1电容膜(12)、在第1电容膜(12)上与第1电极膜(11)对置的第2电极膜(13)、第2电极膜(13)上的第2电容膜(17)、在第2电容膜(17)上与第2电极膜(13)对置的第3电极膜(16)，电容器元件连接于第1外部电极及第2外部电极之间。熔断器(F1～F9)分别插在电容器元件与第1外部电极或第2外部电极之间，能将多个电容器元件分别隔出。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片电容器，其特征在于，包括：基板；第1外部电极，其配置于基板的一个表面侧；第2外部电极，其配置于基板的一个表面侧；下部电极膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述基板的一个表面侧，具有与所述第1外部电极相接的上表面；电容膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述下部电极膜上；和上部电极膜，其从所述第1外部电极以及所述第2外部电极之间的区域延伸至所述第2外部电极与所述基板之间而形成于所述电容膜上，并且与所述下部电极膜对置，具有与所述第2外部电极相接的上表面。
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- 李苗苗 - 柯贝尔电能质量技术（上海）有限公司
- 2020-05-22 - 2020-11-27 - H01G4/015
- 本实用新型公开了一种自愈式并联电容器端子，涉及电容器端子技术领域，包括绝缘固定座、铜杆、接触铜板、圆环及端子盖，绝缘固定座上开设有引导孔，绝缘固定座上还固定设置有固定柱，固定柱与铜杆间隔设置，接触铜板上开设有固定孔及第一导电孔，接触铜板通过固定孔套设在固定柱上，接触铜板通过第一导电孔套设在铜杆上，且接触铜板与铜杆过盈配合，圆环套设在固定柱上且与接触铜板紧密贴合，端子盖上开设有第二导电孔，第二导电孔正对圆环设置；绝缘固定座上周侧上设置有固定件，端子盖通过固定件盖合固定在绝缘固定座上。本实用新型提供了结构简单、安装便捷、接触电阻小、生产成本低的一种自愈式并联电容器端子。
- 一种用于抑制干扰的安全防击穿电容器-202021006037.2
- 何文钜 - 广东丰明电子科技有限公司
- 2020-06-04 - 2020-11-24 - H01G4/015
- 本实用新型公开了一种用于抑制干扰的安全防击穿电容器，包括电容器素子，电容器素子设有外壳，第一空白隔离带将金属化膜分隔出第一电极区及第二电极区，第二电极区通过第二空白隔离带分隔形成子电极区，第二空白隔离带与对应的相邻的两个第一空白隔离带之间分别形成有保险丝，第一层金属化膜的第一电极区与第二层金属化膜的第二电极区位置对应。本实用新型的用于抑制干扰的安全防击穿电容器能防止自愈击穿范围不断扩大，从而提高了电容器的使用安全性；通过将第一层金属化膜的第一电极区与第二层金属化膜的第二电极区位置对应，可提高电极的有效重叠面积，当局部自愈熔断后可有效降低容量的损失率，提高使用寿命。
- 薄膜电容器、连结型电容器、使用其的逆变器以及电动车辆-201780015707.1
- 菊池直树 - 京瓷株式会社
- 2017-03-14 - 2020-08-28 - H01G4/015
- 薄膜电容器具备：主体部(3)，具有电介质薄膜(1)、和分别被配置于该电介质薄膜(1)的对置的第1面(1c)以及第2面(1d)的第1金属膜(2a)以及第2金属膜(2b)；和第1外部电极(4a)以及第2外部电极(4b)，分别被配置于主体部(3)的对置的第1端部(3a)以及第2端部(3b)。第1金属膜(2a)以及第2金属膜(2b)分别具有第1部位(21)、第2部位(2m)以及第3部位(2n)。第3部位(2n)位于与第1外部电极(4a)、第2外部电极(4b)的任意一个连接的第1部位(21)和位于相反的一侧的端部的第2部位(2m)之间。第1金属膜(2a)的第3部位(2na)被在第1方向(OA)延伸的第1槽(7na)分割，第2金属膜(2b)的第3部位(2nb)被在第2方向(OB)延伸的第2槽(7nb)分割。第1方向(OA)与第2方向(OB)在俯视的情况下相互交叉。
- 金属化膜的制造方法-201680059785.7
- 斯波将希;糸井真介;安达博;高本幸典 - 松下知识产权经营株式会社
- 2016-10-04 - 2020-08-04 - H01G4/015
- 一种金属化膜的制造方法，所述金属化膜具备电介质膜，并且在该电介质膜的表面具备包含蒸镀金属的电阻值不同的多个金属蒸镀电极和不存在所述蒸镀金属的绝缘边缘，金属化膜的制造方法包括：在真空中，在使所述电介质膜的表面的形成所述电阻值不同的多个金属蒸镀电极的部分附着油之后，使附着了所述油的电介质膜的表面与金属蒸气接触的过程，在所述电介质膜的表面的形成所述电阻值不同的多个金属蒸镀电极中电阻值相对低的所述金属蒸镀电极的部分所附着的所述油的电介质膜表面的每单位面积的量，比形成电阻值相对高的所述金属蒸镀电极的部分所附着的油的量少，或者不附着油。
- 一种具有波浪边缘的金属化膜-201921599122.1
- 黄伟东 - 广东顺德凯普司特电子材料有限公司
- 2019-09-25 - 2020-04-24 - H01G4/015
- 本实用新型公开了一种具有波浪边缘的金属化膜，包括介质薄膜、第一金属镀层和第二金属镀层，所述第一金属镀层与第二金属镀层由左至右依次设置于所述介质薄膜的一侧，所述介质薄膜靠近所述第二金属镀层的一侧向外延伸形成留边；其中，所述第一金属镀层上方具有加厚层，所述加厚层包括多个凸起，且多个所述凸起的端部依次连接构成波浪形的所述加厚层，且所述第一金属镀层、第二金属镀层和加厚层为铝蒸镀而成，本实用新型目的在于提供一种具有波浪边缘的金属化膜，改善了当前锌铝金属化薄膜的在大气中氧化的问题，增加了应用该金属化膜的使用寿命。
- 芯片电容器及其制造方法-201611069178.7
- 冈田博行;不破保博 - 罗姆股份有限公司
- 2012-12-26 - 2020-03-20 - H01G4/015
- 本发明提供能以公共的设计来容易且迅速地与多种电容值对应的芯片电容器及其制造方法。芯片电容器(1)包含：基板(2)、配置于基板上的第1外部电极(3)、第2外部电极(4)、电容器元件(C1～C19)及熔断器(F1～F9)。电容器元件(C1～C19)包含：第1电极膜(11)、第1电极膜(11)上的第1电容膜(12)、在第1电容膜(12)上与第1电极膜(11)对置的第2电极膜(13)、第2电极膜(13)上的第2电容膜(17)、在第2电容膜(17)上与第2电极膜(13)对置的第3电极膜(16)，电容器元件连接于第1外部电极及第2外部电极之间。熔断器(F1～F9)分别插在电容器元件与第1外部电极或第2外部电极之间，能将多个电容器元件分别隔出。
- 一种用于电容器的金属化聚丙烯薄膜-201920247399.1
- 汪祥久 - 昆山泓电隆泰电子材料有限公司
- 2019-02-27 - 2019-10-08 - H01G4/015
- 本实用新型公开了一种用于电容器的金属化聚丙烯薄膜，包括聚丙烯基膜和镀覆于其上的方阻区构成，聚丙烯基膜在宽度方向上的一端设有留空区，方阻区在异于留空区的另一端设有加厚区，所述聚丙烯基膜位于留空区的边缘处设有金属区，所述金属区由第一金属层和第二金属层构成，第一金属层镀覆于聚丙烯基膜上，第一金属层上设有沿聚丙烯基膜的长度方向延伸的凹槽，第二金属层镀覆于凹槽内。本实用新型能够缩小外部潮气侵入路径，降低潮气的传递速率，达到防潮效果，从而延长电容器的使用寿命。
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