[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、第一栅极结构、第一间隔件、源漏结构、第一介电层、导体和保护层。第一栅极结构存在于衬底上。第一间隔件存在于第一栅极结构的侧壁上。源漏结构邻近于第一间隔件。第一介电层存在于第一栅极结构上并且其中具有开口，其中，源漏结构通过开口暴露。导体电连接至源漏结构，其中，导体具有位于第一介电层的开口中的上部和位于上部与源漏结构之间的下部。保护层存在于下部与第一间隔件之间以及上部与源漏结构之间。

主权项

一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；至少一个第一间隔件，存在于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；至少一个第一介电层，至少存在于所述第一栅极结构上并且在所述第一介电层中具有开口，其中，所述源漏结构至少通过所述开口暴露；至少一个导体，电连接至所述源漏结构，其中，所述导体具有位于所述第一介电层的所述开口中的上部和位于所述上部与所述源漏结构之间的下部；以及至少一个保护层，至少存在于所述导体的所述下部与所述第一间隔件之间以及所述导体的所述上部与所述源漏结构之间。