[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明的实施例提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、第一栅极结构、第一间隔件、源漏结构、第一介电层、导体和保护层。第一栅极结构存在于衬底上。第一间隔件存在于第一栅极结构的侧壁上。源漏结构邻近于第一间隔件。第一介电层存在于第一栅极结构上并且其中具有开口，其中，源漏结构通过开口暴露。导体电连接至源漏结构，其中，导体具有位于第一介电层的开口中的上部和位于上部与源漏结构之间的下部。保护层存在于下部与第一间隔件之间以及上部与源漏结构之间。

相关申请

本申请要求于2015年12月17日提交的美国临时申请号62/269,046的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明的实施例总体涉及半导体领域，更具体地，涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备。半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来持续地改进各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成度，这允许更多的组件集成到给定的区域中。

集成电路中的“互连件”一词意味着连接各种电子组件的导线。除了在接触区域上，互连导线通过绝缘层与衬底分隔开。随着部件密度的增加，互连结构的导线的宽度和导线之间的间隔也按比例变小。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：衬底；至少一个第一栅极结构，存在于所述衬底上；至少一个第一间隔件，存在于所述第一栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于所述第一间隔件；至少一个第一介电层，至少存在于所述第一栅极结构上并且在所述第一介电层中具有开口，其中，所述源漏结构至少通过所述开口暴露；至少一个导体，电连接至所述源漏结构，其中，所述导体具有位于所述第一介电层的所述开口中的上部和位于所述上部与所述源漏结构之间的下部；以及至少一个保护层，至少存在于所述导体的所述下部与所述第一间隔件之间以及所述导体的所述上部与所述源漏结构之间。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体结构，包括：衬底；至少一个栅极结构，存在于所述衬底上；至少一个间隔件，存在于所述栅极结构的至少一个侧壁上；至少一个源漏结构，邻近于所述间隔件；至少一个底部导体，电连接至所述源漏结构；至少一个保护层，存在于所述底部导体与所述间隔件之间；至少一个第一介电层，至少存在于所述栅极结构上并且所述第一介电层具有开口，其中，所述底部导体通过所述开口至少部分暴露；以及至少一个上部导体，通过所述第一介电层的所述开口电连接至所述底部导体并且至少覆盖所述保护层。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于制造半导体结构的方法，所述方法包括：在至少一个栅极结构和至少一个源漏结构上形成第一介电层；在所述第一介电层中至少部分地形成至少一个凹槽；在所述凹槽的至少一个侧壁上至少形成至少一个保护层；加深所述凹槽以暴露所述源漏结构；在所述凹槽中形成底部导体，其中，所述底部导体电连接至所述源漏结构；去除所述第一介电层、所述保护层在所述栅极结构之上的上部以及所述底部导体在所述栅极结构之上的上部；在所述栅极结构和所述底部导体上的形成第二介电层；在所述第二介电层中形成至少一个开口以暴露所述底部导体；以及在所述开口中形成上部导体，其中，所述上部导体电连接至所述底部导体。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1至图8是根据本发明的一些实施例的处于各个阶段的用于制造半导体结构的方法的截面图。

具体实施方式