[发明专利]高功率和高频率异质结场效应晶体管

摘要

本公开涉及一种高功率和高频率异质结场效应晶体管。在HEMT器件中，在具有相互叠置的沟槽层、阻挡层以及钝化层的晶片中形成栅极区。在栅极区的不同侧上，在晶片中形成漏极电极和源极电极。在栅极区上和钝化层上形成电介质层。通过多次刻蚀来去除电介质层的选择性部分，从而在栅极区与漏极电极之间形成一个或多个腔体。该一个或多个腔体在从栅极区向漏极电极移动的相对于晶片增大距离处具有多个台阶。该腔体然后被填充导电材料以形成场板，该场板被耦合到源极电极、在栅极区上延伸，并且具有面对晶片并具有多个台阶的表面。

主权项

一种用于制造异质结场效应晶体管的工艺，包括：在包括第一半导体材料的沟道层、第二半导体材料的阻挡层以及电介质材料的钝化层的晶片中，形成在所述晶片中延伸的栅极区；在所述栅极区的不同侧上形成在所述晶片中延伸的漏极电极和源极电极；在所述栅极区和所述钝化层之上形成电介质层；以及通过多次刻蚀来去除所述电介质层的选择性部分，从而直接地在所述晶片的在所述栅极区与所述漏极电极之间的区域上形成一个或多个腔体，所述一个或多个腔体在距所述晶片不同的距离处包括多个台阶；以及用导电材料填充所述一个或多个腔体以形成被电耦合到所述源极电极且在所述栅极区之上和在所述腔体内部延伸的场板，所述场板具有面对所述晶片且在所述一个或多个腔体的各台阶中包括多个台阶的表面。