[发明专利]通过电测量检测等离子体不稳定性的系统和方法

摘要

本发明涉及通过电测量检测等离子体不稳定性的系统和方法。晶片放置在电极下方的晶片支撑装置上，使得在晶片和电极之间存在等离子体产生区域。向电极供应射频功率以在等离子体处理操作的多个连续的等离子体处理循环期间在等离子体产生区域内产生等离子体。连接到电极的至少一个电传感器在多个连续的等离子体处理循环中的每一个期间测量电极上的射频参数。针对多个连续的等离子体处理循环中的每一个确定在电极上测得的射频参数的值。确定在多个连续的等离子体处理循环期间在电极上测得的射频参数的值中是否存在任何指示性趋势或变化，其中指示性趋势或变化指示在等离子体处理操作期间等离子体不稳定性的形成。

主权项

一种用于对晶片进行等离子体处理的方法，其包括：将晶片放置在晶片支撑装置上，所述晶片支撑装置位于电极下方，使得在所述晶片和所述电极之间存在等离子体产生区域；向所述电极供应射频功率，以在等离子体处理操作的多个连续的等离子体处理循环期间在所述等离子体产生区域内产生等离子体；操作连接到所述电极的至少一个电传感器，以在所述多个连续的等离子体处理循环中的每一个期间测量所述电极上的射频参数；确定针对所述多个连续的等离子体处理循环中的每一个在所述电极上测得的所述射频参数的值；以及确定在所述多个连续的等离子体处理循环期间在所述电极上测得的所述射频参数的所述值中是否存在指示性趋势或变化，其中所述指示性趋势或变化指示在所述等离子体处理操作期间等离子体不稳定性的形成。