[发明专利]抗闩锁晶体管在审
| 申请号： | 201610966560.1 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN107039512A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | B.菲舍尔;W.凯因德尔;K.科瓦利克-赛德尔;M.施密特;M.韦格沙伊德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 周学斌,杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于产生晶体管器件的方法以及晶体管器件。该方法包括在半导体本体中的第二掺杂类型的本体区中形成第一掺杂类型的源极区；以及邻近本体区中的源极区形成第二掺杂类型的低阻区，其中形成源极区包括使用注入掩膜经由半导体本体的第一表面将第一掺杂类型的掺杂剂粒子注入到本体区中，以及其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括倾斜注入。 | ||
| 搜索关键词： | 抗闩锁 晶体管 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在半导体本体中的第二掺杂类型的本体区中形成第一掺杂类型的源极区；以及邻近本体区中的源极区形成第二掺杂类型的低阻区，其中形成源极区包括使用注入掩膜经由半导体本体的第一表面将第一掺杂类型的掺杂剂粒子注入到本体区中，以及其中注入第一掺杂类型的掺杂粒子包括倾斜注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610966560.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
