[发明专利]半导体结构及其形成方法、测量电容的方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法、测量电容的方法，其中半导体结构包括：基底，基底包括器件区和隔离区位于器件区基底表面的第一栅极结构；分别位于第一栅极结构两侧的器件区衬底中的第一轻掺杂源区和第一轻掺杂漏区；位于器件区第一轻掺杂源区中的第一源区；位于第一轻掺杂漏区中的第一漏区；连接所述第一漏区的第一漏插塞；连接所述第一源区的第一源插塞；位于所述隔离层表面的第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述第一栅极结构电相连；位于所述第二栅极结构一侧基底中的第二漏区；连接所述第二源区的第二漏插塞，所述第二漏插塞与所述第一漏插塞电连接。所述形成方法能够对第一轻掺杂漏区与第一晶体管沟道之间的电容进行测量。

主权项

一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括器件区和隔离区；位于所述器件区的第一晶体管，所述第一晶体管包括：位于所述器件区基底表面的第一栅极结构；分别位于所述第一栅极结构两侧的器件区基底中的第一轻掺杂源区和第一轻掺杂漏区；位于所述第一轻掺杂漏区中的第一漏区；位于器件区第一轻掺杂源区中的第一源区；连接所述第一漏区的第一漏插塞；连接所述第一源区的第一源插塞；位于所述隔离区基底中的隔离层；位于所述隔离区的第二晶体管，所述第二晶体管包括：位于所述隔离层表面的第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述第一栅极结构电相连；位于所述第二栅极结构一侧基底中的第二漏区；连接所述第二漏区的第二漏插塞，所述第二漏插塞与所述第一漏插塞电连接；第二源结构或栅极导电结构，所述第二源结构包括第二源区和第二源插塞，所述第二源区位于所述第二栅极结构另一侧的隔离区基底中，所述第二源区与第二源插塞连接，所述第二源插塞与所述第一源插塞电连接，所述栅极导电结构与所述第一栅极结构和第二栅极结构电连接。