[发明专利]一种半导体重布线方法有效
申请号: | 201610874650.8 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN107887324B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 陈勇辉;唐世弋 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种半导体重布线方法,计算出载具上每个电性连接点的偏移值后,先使用无掩膜光刻方式进行偏移值修正,在电性连接点上形成重布线结构,然后通过有掩膜光刻方式对修正后的多层重布线层和植球层进行单一化处理,获得无偏移的植球垫。这样将无掩膜光刻和有掩膜光刻相互结合,相对于单纯使用无掩膜光刻方式,能够提高效率,节省时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 布线 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体重布线方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:设置承载多个半导体元件的载具,每个所述半导体元件具有若干个电性连接点;步骤2:测量所述电性连接点相对于所述载具的坐标值,将所述坐标值与标准值对比,获得每个电性连接点的偏移值;步骤3:根据得到的偏移值,通过无掩膜光刻的方式,在所述电性连接点形成重布线结构,进行偏移值修正;步骤4:在所述重布线结构上形成植球垫以及覆盖所述植球垫的保护层,通过有掩膜曝光方式,对覆盖所述植球垫的保护层进行光刻,定义出无偏移的植球垫的位置和图形尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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