[发明专利]衬底中心检测方法、衬底运送方法、运送单元及包括运送单元的衬底处理装置有效
申请号: | 201610850986.0 | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN106558514B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 金德植;金贤俊 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 石宝忠 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供衬底中心检测方法、衬底运送方法、衬底运送单元及衬底处理装置。根据实施例,衬底中心检测方法包括:第一位置检测步骤,检测衬底的四个边沿位置;凹槽存在性判断步骤,判断四个边沿位置中是否存在凹槽;衬底移动步骤,当四个边沿位置中存在凹槽时移动衬底;中心计算步骤,计算衬底中心,中心计算步骤包括:第二检测步骤,重新检测衬底的四个边沿位置;第一中点计算步骤,使用第一位置检测步骤中检测的衬底的四个边沿位置中的三个边沿位置计算衬底的第一中点;第二中点计算步骤,使用第二位置检测步骤中检测的衬底的四个边沿位置中的三个边沿位置计算衬底的第二中点;第一确定步骤,基于衬底的第一和第二中点的移动状态确定衬底的真实中点。 | ||
搜索关键词: | 衬底 中心 检测 方法 运送 单元 包括 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于检测衬底中心的方法,包括:第一位置检测步骤,检测衬底的四个边沿位置;凹槽存在性判断步骤,判断在所检测的四个边沿位置当中是否存在凹槽;衬底移动步骤,当在所检测的四个边沿位置当中存在凹槽时移动所述衬底;中心计算步骤,计算所述衬底的中心;其中,所述中心计算步骤包括:第二位置检测步骤,重新检测所述衬底的四个边沿位置;第一中点计算步骤,使用在所述第一位置检测步骤中所检测的所述衬底的四个边沿位置中的三个边沿位置计算所述衬底的第一中点;第二中点计算步骤,使用在所述第二位置检测步骤中所检测的所述衬底的四个边沿位置中的三个边沿位置计算所述衬底的第二中点;第一确定步骤,基于所述衬底的所述第一中点和所述衬底的所述第二中点的移动状态确定所述衬底的真实中点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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