[发明专利]非易失性半导体存储设备及其擦除方法有效
| 申请号： | 201610840459.1 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN107230498B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯.培尔 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/08;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性半导体存储设备及其擦除方法。本发明的非易失性半导体存储设备包括控制电路，所述控制电路通过对包含设置在多个字线与多个位线的各交叉点上的存储单元的存储单元阵列的规定的块施加规定的擦除电压而进行数据的擦除，且所述控制电路通过对所述存储单元阵列的缘端部以外的偶数的字线及奇数的字线施加互不相同的字线电压，对所述存储单元阵列的缘端部的字线施加与所述字线电压不同的电压，将所述擦除电压施加至存储单元来擦除数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 设备 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性半导体存储设备，包括控制电路，所述控制电路通过对包含设置在多个字线与多个位线的各交叉点上的存储单元的存储单元阵列的规定区域施加规定的擦除电压来进行数据的擦除，且所述非易失性半导体存储设备的特征在于：所述控制电路通过对所述存储单元阵列的缘端部以外的偶数的字线及奇数的字线施加互不相同的字线电压，对所述存储单元阵列的缘端部的字线施加与所述字线电压不同的电压，将所述擦除电压施加至所述存储单元来擦除数据。
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