[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610768086.1 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107302051B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;沈桂弘;匡训冲;蔡正原;李汝谅 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/02;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括底电极通孔(BEVA)、位于BEVA上的再生层以及位于再生层上方的磁性隧道结(MTJ)层。BEVA包括位于BEVA的沟槽的底部和侧壁上方的衬垫层以及位于衬垫层上方的电镀的铜，填充BEVA的沟槽。再生层覆盖衬垫层的顶面和电镀的铜的顶面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：底电极通孔(BEVA)，包括：衬垫层，位于所述底电极通孔的沟槽的底部和侧壁上方；以及电镀的铜，位于所述衬垫层上方，填充所述底电极通孔的所述沟槽；再生层，位于所述底电极通孔上；以及磁性隧道结(MTJ)层，位于所述再生层上方；其中，所述再生层覆盖所述衬垫层的顶面和所述电镀的铜的顶面。
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