[发明专利]无闩锁效应的功率晶体管有效
| 申请号： | 201610702676.4 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106469753B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 阿勒姆·卡尔穆斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本文公开了无闩锁效应的功率晶体管的多种实施方案。这样的器件包括定位成相邻于功率晶体管中的导电沟道的绝缘栅极、与导电沟道直接物理接触的发射极、以及与导电沟道电接触的集电极。功率晶体管还包括与半导体衬底的相邻于导电沟道的表面接触的发射极层。 | ||
| 搜索关键词： | 无闩锁 效应 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率晶体管，包括：/n具有底表面和顶表面的半导体衬底；/n第一导电型的本体区，所述本体区设置在所述半导体衬底中并延伸到所述半导体衬底的所述顶表面；/n与所述第一导电型相反的第二导电型的漂移区，所述漂移区设置在所述半导体衬底中所述本体区之下；/n所述第一导电型的集电极区，所述集电极区设置在所述半导体衬底中所述漂移区之下，并延伸到所述半导体衬底的所述底表面；/n延伸到所述漂移区中并定位成相邻于所述本体区中的导电沟道的绝缘栅极；以及/n在所述半导体衬底之上并直接物理接触所述半导体衬底的所述顶表面的金属发射极，/n其中所述本体区的直接相邻于所述绝缘栅极的第一部分延伸到所述顶表面，以及/n其中所述导电沟道设置在所述本体区的所述第一部分中，/n以及其中所述金属发射极直接接触在所述本体区的所述第一部分处的所述导电沟道。/n
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