[发明专利]晶片的加工方法

摘要

提供晶片的加工方法，将由SiC基板构成的晶片分割成一个个的器件芯片，具有：分离起点形成步骤，将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一面或第二面相当于器件芯片的完工厚度的区域，使聚光点与SiC基板相对地移动并照射激光束，形成与第一面平行的改质层和裂痕而作为分离起点；器件形成步骤，在第一面上在由相互交叉的多条分割预定线划分出的区域中形成多个器件；分割起点形成步骤，沿着形成于第一面的多条分割预定线形成相当于器件芯片的完工厚度的深度的分割起点；保护部件配设步骤，在第一面上配设保护部件；和晶片分离步骤，施加外力而从分离起点将具有第二面的晶片从具有形成有多个器件的第一面的晶片分离。

主权项

一种晶片的加工方法，将由SiC基板构成的晶片分割成一个个的器件芯片，该SiC基板具有：第一面；位于该第一面的相反侧的第二面；从该第一面至该第二面的c轴；以及与该c轴垂直的c面，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：分离起点形成步骤，将对于SiC基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距该第一面或该第二面相当于器件芯片的完工厚度的区域，并且一边使该聚光点与SiC基板相对地移动一边照射激光束，形成与该第一面平行的改质层和从该改质层沿着c面延伸的裂痕而作为分离起点；器件形成步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，在该第一面上在由相互交叉的多条分割预定线划分出的区域中形成多个器件；分割起点形成步骤，在实施了该器件形成步骤之后，沿着形成于该第一面的该多条分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分割起点；保护部件配设步骤，在实施了该分割起点形成步骤之后，在该第一面上配设保护部件；以及晶片分离步骤，在实施了该保护部件配设步骤之后，施加外力而从该分离起点将具有该第二面的晶片从具有形成有多个器件的该第一面的晶片分离，该分离起点形成步骤包含如下的步骤：改质层形成步骤，该c轴相对于该第二面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在该第二面和该c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；以及转位步骤，在形成该偏离角的方向上使该聚光点相对地移动而转位规定的量。