[发明专利]靶材及其形成方法、靶材组件及其形成方法在审
| 申请号： | 201610635420.6 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107686970A | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;潘杰;相原俊夫;王学泽;李小萍 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种靶材及其形成方法、靶材组件及其形成方法，其中，靶材用于装载于溅射腔室内，靶材包括溅射面，所述溅射面具有若干凸起，相邻凸起之间具有凹槽；所述溅射腔室内具有若干第一磁场区和若干第二磁场区，所述第一磁场区的磁场强度大于相邻的第二磁场区的磁场强度，所述凸起用于置于第一磁场区，所述凹槽用于置于第二磁场区。所述靶材使得靶材的寿命增加，同时能够提高靶材溅射成膜的均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 及其 形成 方法 组件 | ||
【主权项】：
一种靶材，用于装载于溅射腔室内，其特征在于，包括：溅射面，所述溅射面具有若干凸起，相邻凸起之间具有凹槽；所述溅射腔室内具有若干第一磁场区和若干第二磁场区，所述第一磁场区的磁场强度大于相邻的第二磁场区的磁场强度，所述凸起用于置于第一磁场区，所述凹槽用于置于第二磁场区。
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