[发明专利]掺杂有机半导体的方法和掺杂组合物有效
| 申请号： | 201610616266.8 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106409665B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·库格勒;希纳·祖贝里 | 申请（专利权）人： | 剑桥显示技术有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/263;H01L21/268;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王海宁 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及掺杂有机半导体的方法和掺杂组合物。一种形成n型掺杂的半导体层的方法，其中用光辐照包含有机半导体和n型掺杂剂试剂的膜，所述光的波长在该有机半导体的吸收范围内，并且其中该n型掺杂剂试剂的最大吸收波长短于所述光的任何峰值波长。该n型掺杂的半导体层可以是有机发光器件的电子注入层。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 有机半导体 方法 组合 | ||
【主权项】：
一种形成n型掺杂的半导体层的方法，其中用光辐照包含有机半导体和n型掺杂剂试剂的膜，所述光的波长在所述有机半导体的吸收范围内，并且其中所述n型掺杂剂试剂的最大吸收波长短于所述光的任何峰值波长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
