[发明专利]半导体制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体制备方法，所述半导体制备方法提供一基底；在基底的上表面沉积一介质层；在基底的边缘的介质层上形成一第一保护层，第一保护层在基底的边缘至基底的中心方向具有第一宽度；在第一保护层未覆盖的介质层中形成接触孔结构；在基底的边缘的介质层上形成一第二保护层，第二保护层在基底的边缘至基底的中心方向具有第二宽度，第二宽度大于第一宽度；在第二保护层未覆盖的介质层中形成栅条沟槽。本发明通过在基底的边缘的介质层上留下一定的保护层，使得基底的边缘的介质层上被保护起来，防止在基底的边缘的介质层上形成有缺陷的结构；并且，第二宽度大于第一宽度，进一步避免缺陷的产生，提高器件的可靠性。

主权项

1.一种半导体制备方法，其特征在于，所述半导体制备方法包括：提供一基底；在所述基底的上表面沉积一介质层；在所述基底的边缘的介质层上形成一第一保护层，所述第一保护层在所述基底的边缘至基底的中心方向具有第一宽度；在所述第一保护层未覆盖的介质层中形成接触孔结构；在所述基底的边缘的介质层上形成一第二保护层，所述第二保护层在所述基底的边缘至基底的中心方向具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；在所述第二保护层未覆盖的介质层中形成栅条沟槽。