[发明专利]一种镀膜方法和镀膜系统及稀土磁体的制备方法有效
| 申请号： | 201610608193.8 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106282948B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 李志学;李绍芳;冯志兵;李景宏 | 申请（专利权）人： | 北京中科三环高技术股份有限公司;天津三环乐喜新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/56;C23C14/16;H01F41/02;H01F41/18 |
| 代理公司： | 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)11446 | 代理人： | 刘国伟,鲍晓芳 |
| 地址： | 100190 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种镀膜方法和镀膜系统及稀土磁体的制备方法。本发明的方法和系统将磁体在水平方向多行排列在传送装置上；多行排列的磁体依次通过溅射镀膜设备的溅射区，完成镀膜；溅射镀膜设备与磁体上表面的垂直距离为10‑200mm。本发明的方法和系统采用连续通过式的磁控溅射设备溅射Dy、Tb等重稀土金属在磁体表面，有效控制溅射层的厚度，保证溅射层的均匀，从而保证对溅射后磁体进行晶界扩散处理后的磁片磁性能均匀，可实现晶界扩散技术制备磁体的快速连续生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 镀膜 方法 系统 稀土 磁体 制备 | ||
【主权项】：
一种镀膜方法，用于稀土磁体的镀膜，其特征在于，包括步骤：A、将磁体在水平方向多行排列在托盘上；B、将所述托盘送入镀膜区，所述托盘带动所述磁体往复多次通过溅射镀膜设备的溅射区，所述磁体往复通过所述溅射区的次数为2n+1次，所述n为整数，所述溅射镀膜设备与磁体上表面的垂直距离为10‑200mm；在溅射发生时，开启所述镀膜区的镀膜室传送辊上的负偏压发生器，所述托盘底部的中空区域分布不同电阻值的金属构件，使得所述中空区域的中间电阻值低，两侧电阻值高，所述托盘表面区域电阻值不同，对应施加到磁体的电压值不同，靶材两侧散射的离子流向中间区域聚焦；C、完成镀膜后，所述托盘带动所述磁体移出所述镀膜区。
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