[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201610601007.8 申请日: 2016-07-27
公开(公告)号: CN106548988B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 斋藤隆;百濑文彦;西村芳孝;望月英司 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/13 分类号: H01L23/13;H01L23/367;H01L23/373;H05K3/20;H05K7/20;H05K1/02
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张鑫
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明能抑制半导体装置的散热性下降。在半导体装置(100)中,在散热基底(140)的背面形成有多个凹陷,凹陷构成为多个重叠。散热基底(140)的背面的多个凹陷通过对散热基底(140)的背面进行喷丸处理而形成。作为此时的喷丸处理的处理条件,在喷丸材料为SUS304、处理时间为20秒、超声波振幅为70μm时,优选将喷丸材料的平均粒径设为0.3mm~6mm。若在进行了基于上述处理条件的喷丸处理的散热基底(140)的背面隔着导热膏(160)设置散热片(170),则散热基底(140)的重叠的多个凹陷相对于导热膏(160)的密接性因固着效果而得到提高。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:半导体芯片;层叠基板,该层叠基板具备绝缘板、形成于所述绝缘板的正面的电路板、及形成于所述绝缘板的背面的金属板,所述电路板上设有所述半导体芯片;散热板,该散热板构成为在正面设有所述层叠基板,在背面形成有多个凹陷,多个所述凹陷相重叠;以及散热器,该散热器隔着散热材料设置于所述散热板的所述背面。
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