[发明专利]一种薄膜晶体管、像素单元及阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201610575595.2 | 申请日： | 2016-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106129120A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 古宏刚;邵贤杰;王倩倩;宋洁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、像素单元及阵列基板、显示装置，用以改善现有技术中存在的TFT区域影响像素单元开口率的问题。具体地，将源极和漏极的相向而设的两个边界之间形成的等间距缝隙设置为非直线形，即后续形成的TFT的沟道设置为非直线形，这样，等间距缝隙的整体长度是不变的，只是该等间距缝隙所占据的沿数据线延伸方向的尺寸变小，从而，缩小了后续形成的TFT区域在沿数据线延伸方向的尺寸，进而，减小了黑矩阵覆盖区域，提升了像素单元的开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 像素 单元 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极，位于所述栅极之上的有源层，位于所述有源层之上且图案化的源极和漏极，其特征在于，所述源极和所述漏极的相向而设的两个边界之间形成的等间距缝隙呈非直线形。
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