[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，其防止由于在切割中产生的金属的切削屑而在半导体装置中产生损伤的情况。半导体装置的制造方法包括在半导体基板上形成层间绝缘膜的工序；在层间绝缘膜上形成接触孔和宽度较宽的定位孔的工序；堆积膜厚厚于接触孔的宽度的二分之一且薄于定位孔的宽度的二分之一的第一金属层的工序；以定位孔的底面露出且在接触孔内残存第一金属层的方式，对第一金属层进行蚀刻的工序；根据定位孔的位置而对半导体基板进行处理的工序；对半导体基板的包括定位孔的部分进行切削的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括：在半导体基板上形成层间绝缘膜的工序；通过对所述层间绝缘膜局部地进行蚀刻，从而在所述层间绝缘膜上形成接触孔和与所述接触孔相比宽度较宽的定位孔的工序；在所述层间绝缘膜的表面、所述接触孔的内表面以及所述定位孔的内表面上，堆积膜厚厚于所述接触孔的宽度的二分之一且薄于所述定位孔的宽度的二分之一的第一金属层的工序；以在所述层间绝缘膜的表面露出，所述定位孔的底面露出，且对所述接触孔的底面进行覆盖的状态下残存所述第一金属层的方式，对所述第一金属层进行蚀刻的工序；对所述定位孔的位置进行检测，并根据检测出的所述位置而对所述半导体基板进行处理的工序；对所述半导体基板的包括所述定位孔的部分进行切削，从而从所述半导体基板中对具有所述接触孔的半导体装置进行分割的工序。