[发明专利]半导体存储装置、其不良列救济方法及冗余信息设定方法有效
| 申请号： | 201610527692.4 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN106340324B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体存储装置、其不良列救济方法及冗余信息设定方法，其谋求利用冗余存储器的不良列救济效率的提高。本发明的救济方法包括下列步骤：存储冗余信息，所述冗余信息包含将存储器区域的偶数列与奇数列设为一组的不良列的地址、识别不良列的不良位于偶数列或奇数列的哪一列的识别信息、及用来救济不良列的冗余存储器区域的冗余列的地址；基于冗余信息而判定列地址是否与不良列的地址一致；在一致的情况下基于识别信息而将不良列的一列转换为冗余列的一列；以及不将不良列的另一列转换为冗余列的另一列，而将不良列邻接的另一列转换为冗余列的另一列。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 不良 救济 方法 冗余 信息 设定 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：/n存储器阵列，具有包括多个存储器单元的存储器区域及包括多个存储器单元的冗余存储器区域，所述存储器区域的每一列的地址对应至一组的偶数列与奇数列；/n冗余信息存储部，存储冗余信息，所述冗余信息包含不良列的地址、识别所述不良列的不良位于偶数列或奇数列的哪一列的识别信息、及用来救济所述不良列的所述冗余存储器区域的冗余列的地址；以及/n列选择控制电路，基于列地址而选择所述存储器阵列的列，/n其中，所述列选择控制电路是基于所述冗余信息而判定所述列地址是否与所述不良列的地址一致，在一致的情况下基于所述识别信息而将所述不良列的一列转换为所述冗余列的一列，且不将所述不良列的另一列转换为所述冗余列的另一列而将所述不良列邻接的另一列转换为所述冗余列的另一列。/n
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