[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，第一电极通过一绝缘层与第二电极、第三电极、第四电极以及纳米异质结构电绝缘；第二电极、第三电极、第四电极与纳米异质结构电连接，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，第一金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，第二金属性碳纳米管设置于第二表面；第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。

主权项

一种半导体器件，包括一纳米异质结构、一第一电极、一第二电极、一第三电极以及一第四电极，所述第一电极通过一绝缘层与所述第二电极、第三电极、第四电极以及所述纳米异质结构电绝缘；所述第二电极、第三电极、第四电极与所述纳米异质结构电连接，其特征在于，所述纳米异质结构包括一第一金属性碳纳米管，一半导体性碳纳米管，一半导体层以及一第二金属性碳纳米管，所述半导体层包括一第一表面以及一相对的第二表面，所述第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管平行间隔设置于第一表面，所述第二金属性碳纳米管设置于第二表面；所述第一金属性碳纳米管和所述半导体性碳纳米管朝第一方向延伸，所述第二金属性碳纳米管朝第二方向延伸，第二方向和第一方向形成一夹角，该夹角大于0度小于等于90度。