[发明专利]一种自组装石墨烯场效应管型生化传感器制造方法

摘要

本发明公开一种自组装石墨烯场效应管型生化传感器制造方法，该方法包括如下步骤：制备单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底的上制作牺牲层；在所述牺牲层上制作石墨烯层；在所述石墨烯层上制作介电层；在所述介电层和单晶硅衬底上制作栅电极，在所述单晶硅衬底和石墨烯层上制作漏电极和源电极，所述栅电极、漏电极、源电极、石墨烯层和介电层组成二维石墨烯场效应管；在所述二维石墨烯场效应管上制作SU‑8应力层；根据SU‑8的特性使所述二维石墨烯场效应管自组装为三维石墨烯场效应管。

主权项

一种自组装石墨烯场效应管型生化传感器制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：制备单晶硅衬底(1)，将所述单晶硅衬底(1)分为第一部分和第二部分；步骤2：在所述单晶硅衬底(1)第二部分上表面上制作牺牲层(2)；步骤3：在所述牺牲层(2)上制作石墨烯层(3)；步骤4：在所述石墨烯层(3)上制作介电层(5)；步骤5：在步骤4中所述单晶硅衬底(1)和介电层(5)上制作栅电极(6)，单晶硅衬底(1)和石墨烯层(3)上制备漏电极(4)和源电极(7)；其中，所述栅电极(6)、漏电极(4)、源电极(7)、石墨烯层(3)和介电层(5)组成二维石墨烯场效应管；步骤6：在步骤5中制备样品的二维石墨烯场效应管上旋涂SU‑8光刻胶；再依次利用紫外线不充分曝光、热处理以及显影技术图形化SU‑8应力层(8)；步骤7：刻蚀步骤6中得到的样品的牺牲层(2)并对第二部分单晶硅衬底(1)进行划片处理。步骤8：将划片后覆盖有SU‑8应力层(8)的平面二维石墨烯场效应管器件置于分析纯丙酮溶液中处理，处理时间不少于8小时；步骤9：将丙酮处理后的覆盖有SU‑8应力层(8)的平面二维石墨烯场效应管置于体积比为1:1的丙酮和去离子水混合液或空气中进行自组装。