[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610402878.7 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN105932066A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/10;H01L21/34 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法，该薄膜晶体管包括基板，依次形成于基板上的源电极、阻挡层、漏电极，形成于漏电极、源电极的侧面上的半导体有源层，该半导体有源层与所述漏电极、所述源电极相接触。本发明的金属氧化物薄膜晶体管是一种新型的薄膜晶体管结构，源漏电极平行于基板设置，半导体有源层则以大致垂直或阶梯覆盖的方式分别与源电极、漏电极相接触，从而得到一种与以往半导体有源层平行于基板的薄膜晶体管结构截然不同的薄膜晶体管。在这种结构中沟道长度不再由光刻工艺直接决定，而是由源电极、漏电极分别与半导体有源层相接触的侧面的长度决定，因此可制得具有短沟道的薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物薄膜晶体管包括：基板；依次形成于所述基板上的源电极、阻挡层、漏电极；形成于所述漏电极、所述源电极的侧面上的半导体有源层，所述半导体有源层分别与所述漏电极、所述源电极相接触。
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