[发明专利]一种碳化硅外延炉的配件处理方法在审
| 申请号： | 201610377959.6 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN106087039A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 吕立平 | 申请（专利权）人： | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B29/36 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市翔安区翔星*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅外延炉的配件处理方法，用于处理碳化硅化学沉积外延炉内配件上沉积的硅，是在高温下向碳化硅外延炉中通入氯化氢气体，氯化氢气体与炉内配件上沉积的硅反应从而去除沉积的硅，减少了配件上硅污染物给工艺带来的不良影响，节省了配件的消耗费用，使得平均一台设备每炉节省300元的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 外延 配件 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅外延炉的配件处理方法，用于处理碳化硅化学沉积外延炉内配件上沉积的硅，其特征在于包括以下步骤：1)调整碳化硅外延炉内温度至1000℃～1200℃；2)向碳化硅外延炉中通入氯化氢气体至配件上沉积的硅完全去除，冷却至室温。
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