[发明专利]非挥发性半导体储存装置及其擦除方法有效
| 申请号： | 201610371234.6 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106448734B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 矢野胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种非挥发性半导体储存装置及其擦除方法，对应于数据的改写次数以补偿储存元的特性变化的非挥发性半导体储存装置的擦除方法。本发明的擦除方法，包括通过施加擦除电压至被选择的储存元的通道区域以擦除电荷累积层的电荷的擦除步骤，以及施加前述擦除电压之后，通过在被选择储存元的控制栅极上施加比编程时的电压弱的编程电压，而在电荷累积层将电荷进行软编程的软编程步骤。在重复施加擦除电压时，一步一步地将擦除电压加大(Vers1 |
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| 搜索关键词： | 挥发性 半导体 储存 装置 及其 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性半导体储存装置的擦除方法，其特征在于，所述非挥发性半导体储存装置具有由包括控制栅极、电荷累积层及通道区域的储存元所形成的存储器阵列，所述擦除方法包括：从所述存储器阵列选择应擦除储存元的选择步骤；通过施加擦除电压至被选择的储存元的通道区域，将电荷累积层的电荷擦除的擦除步骤；以及在施加所述擦除电压之后，通过在被选择储存元的控制栅极上施加比编程时的电压弱的软编程电压，而在电荷累积层将电荷进行软编程的软编程步骤；判定储存元的擦除是否合格的擦除验证步骤，其中，所述擦除验证步骤在所述软编程步骤之后被执行；当通过所述擦除验证步骤判定不合格时，将所述擦除电压加大且将所述软编程电压减小，重复执行所述擦除步骤及所述软编程步骤。
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