[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201610268560.4 申请日: 2016-04-27
公开(公告)号: CN106098711A 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 李士仪;温英男;刘建宏;姚皓然 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园市中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含:一晶片,具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面,其中导电垫位于第一表面下;一激光阻挡层,位于第一表面上并覆盖该导电垫;一第一穿孔,自第二表面朝第一表面延伸,并暴露激光阻挡层;一绝缘层,位于第二表面下与第一穿孔中,且绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面;一第二穿孔,自第三表面朝第一表面延伸,并通过第一穿孔以暴露激光阻挡层;以及一导电层,位于第三表面下并延伸至第二穿孔中接触激光阻挡层。本发明不仅能够节省制程的时间与机台的成本,还可提升晶片封装体侦测时的准确度。
搜索关键词: 晶片 封装 及其 制造 方法
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包含:晶片,具有导电垫、以及相对的第一表面与第二表面,其中该导电垫位于该第一表面;激光阻挡层,位于该第一表面上并覆盖该导电垫;第一穿孔,自该第二表面朝该第一表面延伸,并暴露该激光阻挡层;绝缘层,位于该第二表面下与该第一穿孔中,该绝缘层具有相对于该第二表面的第三表面;第二穿孔,自该第三表面朝该第一表面延伸,并通过该第一穿孔以暴露该激光阻挡层;以及导电层,位于该第三表面下并延伸至该第二穿孔中接触该激光阻挡层。
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