[发明专利]晶片封装体及其制造方法在审
申请号: | 201610268560.4 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN106098711A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 李士仪;温英男;刘建宏;姚皓然 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含:一晶片,具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面,其中导电垫位于第一表面下;一激光阻挡层,位于第一表面上并覆盖该导电垫;一第一穿孔,自第二表面朝第一表面延伸,并暴露激光阻挡层;一绝缘层,位于第二表面下与第一穿孔中,且绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面;一第二穿孔,自第三表面朝第一表面延伸,并通过第一穿孔以暴露激光阻挡层;以及一导电层,位于第三表面下并延伸至第二穿孔中接触激光阻挡层。本发明不仅能够节省制程的时间与机台的成本,还可提升晶片封装体侦测时的准确度。 | ||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片封装体,其特征在于,包含:晶片,具有导电垫、以及相对的第一表面与第二表面,其中该导电垫位于该第一表面;激光阻挡层,位于该第一表面上并覆盖该导电垫;第一穿孔,自该第二表面朝该第一表面延伸,并暴露该激光阻挡层;绝缘层,位于该第二表面下与该第一穿孔中,该绝缘层具有相对于该第二表面的第三表面;第二穿孔,自该第三表面朝该第一表面延伸,并通过该第一穿孔以暴露该激光阻挡层;以及导电层,位于该第三表面下并延伸至该第二穿孔中接触该激光阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的