[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610260924.4 | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN107305881B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 赖国智;许家彰;何念葶;张净云;陈彦臻;周仕旻;张云慈;吕泱儒;萧伟铭;陈威宁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一线路层、第二线路层和过孔层。第一线路层包括第一导电特征物。第二线路层设置在第一线路层上。第二线路层包括第二导电特征物和第三导电特征物。过孔层设置在第一线路层和第二线路层之间。过孔层包括连接第一导电特征物和第二导电特征物的过孔。存在有位于第一导电特征物和第二导电特征物之间的第一气隙。存在有位于第二导电特征物和第三导电特征物之间的第二气隙。第一气隙和第二气隙相连。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n第一线路层，所述第一线路层包括第一导电特征物以及环绕所述第一导电特征物的介电质；/n第二线路层，设置在所述第一线路层上，所述第二线路层包括第二导电特征物、第三导电特征物以及环绕所述第二导电特征物和所述第三导电特征物的介电质；以及/n过孔层，设置在所述第一线路层和所述第二线路层之间，所述过孔层包括连接所述第一导电特征物和所述第二导电特征物的过孔以及环绕所述过孔的介电质；/n其中存在有位于所述第一导电特征物和所述第二导电特征物之间的第一气隙，且所述第一气隙位于所述过孔层中，存在有位于所述第二导电特征物和所述第三导电特征物之间的第二气隙，所述第一气隙和所述第二气隙相连。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610260924.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
