[发明专利]半导体器件有效

专利信息
申请号: 201610218069.0 申请日: 2016-04-08
公开(公告)号: CN106057655B 公开(公告)日: 2020-08-07
发明(设计)人: 李钟旻;成晧准;安在昊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张帆;张青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了一种半导体器件,其具有这样一种排列结构,其中可形成具有相对小的宽度和相对紧密的间距的高密度线图案。半导体器件包括彼此间隔开的多个线图案。所述多个线图案包括:多根主线,它们之间具有第一间隙并且在第一方向上延伸;以及多根子线,它们从所述多根主线中的每一根的一端弯曲。所述多根子线之间具有大于第一间隙的距离,并且可与在第一方向上从对应于所述多根子线的所述多根主线中的每一根的一端延伸的延伸线间隔开。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
一种半导体器件,包括彼此间隔开的多个线图案,所述多个线图案中的每一个包括在第一方向上延伸的主线和从主线的一端弯曲的子线,其中,所述多个线图案包括多个线集,其中,连续排列的四个线图案形成一个线集,其中,所述多个线集中的至少一个线集包括:第一子线集,其包括:第一主线和第二主线,它们之间具有第一间隙并且在所述第一方向上延伸;以及第一子线和第二子线,它们分别从第一主线和第二主线中的每一根的一端弯曲,第一子线和第二子线之间具有大于所述第一间隙的第二间隙,并且包括在所述第一方向上延伸的部分;以及第二子线集,其包括:第三主线和第四主线,它们之间具有所述第一间隙并且在所述第一方向上延伸;以及第三子线和第四子线,它们之间具有大于所述第一间隙的第三间隙并且在与所述第一方向不同的第二方向上分别从第三主线和第四主线中的每一根的一端延伸。
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