[发明专利]锗硅异质集成三极管在审
| 申请号： | 201610214756.5 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105742341A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 钱伟国 | 申请（专利权）人： | 太仓凯丰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/12;H01L29/737;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人： | 张建生 |
| 地址： | 215400 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种锗硅异质集成三极管，所述的锗硅异质集成三极管包括最外层宽带隙半导体材料层，中间层聚氯乙烯材料层和最内层的锗硅材料层，所述宽带隙半导体材料层为氮化镓、碳化硅和氧化锌，所述的宽带隙半导体材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的42‑45%，所述的聚氯乙烯材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的15%‑20%，所述的锗硅材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的35%‑40%，本发明提供一种锗硅异质集成三极管，具有节省了成本，提高了功率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅异质 集成 三极管 | ||
【主权项】：
一种锗硅异质集成三极管，其特征在于：所述的锗硅异质集成三极管包括最外层宽带隙半导体材料层，中间层聚氯乙烯材料层和最内层的锗硅材料层，所述宽带隙半导体材料层为氮化镓、碳化硅和氧化锌，所述的宽带隙半导体材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的42‑45%，所述的聚氯乙烯材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的15%‑20%，所述的锗硅材料层占锗硅异质集成三极管总体分量的35%‑40%。
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