[发明专利]半导体存储器元件及操作半导体存储器元件的方法有效
| 申请号： | 201610139720.5 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN107180649B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 郑仲皓 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4091 | 分类号： | G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体存储器元件及操作半导体存储器元件的方法。该半导体存储器元件包括电荷储存元件、读取晶体管及写入晶体管。电荷储存元件用以维持数据电位。读取晶体管具有第一端耦接于电荷储存元件，第二端耦接于读取位线，及控制端耦接于读取字线。写入晶体管具有第一端耦接于读取晶体管的第一端，第二端耦接于写入位线，及控制端耦接于写入字线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 元件 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器元件，其特征在于包括：第一电荷储存元件，用以维持第一数据电位；第一读取晶体管，具有第一端耦接于该第一电荷储存元件，第二端耦接于第一读取位线，及控制端耦接于读取字线；及第一写入晶体管，具有第一端耦接于该第一读取晶体管的该第一端，第二端耦接于第一写入位线，及控制端耦接于写入字线。
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