[发明专利]VDMOS器件的制作方法

摘要

本发明实施例提供一种VDMOS器件的制作方法，该方法包括提供衬底，并在衬底上依次制作外延层和栅氧化层；在栅氧化层上生长多晶硅层，并对多晶硅层和栅氧化层进行刻蚀，保留位于第一区域和第二区域上的多晶硅层和栅氧化层，形成分裂栅；制作第一体区和第二体区；制作分裂栅的侧墙；对多晶硅层进行低阻化处理，并制作第一源区、第二源区和JFET低阻区，JFET低阻区位于第一源区和第二源区之间的外延层内，JFET低阻区的深度小于第一体区和第二体区的深度，宽度小于第一源区和第二源区之间的距离，大于第一区域和第二区域之间的距离；制作器件的介质层和金属层。本发明实施例提供的VDMOS器件的制作方法能够降低VDMOS器件的导通电阻和反馈电容，提高器件的性能。

主权项

一种VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上依次制作外延层和栅氧化层；在所述栅氧化层上生长多晶硅层，并对所述多晶硅层和所述栅氧化层进行刻蚀，保留位于第一区域和第二区域上的多晶硅层和栅氧化层，形成分裂栅；制作第一体区和第二体区，所述第一体区的一端位于所述第一区域的下方，所述第一体区的另一端远离所述第二区域，所述第二体区的一端位于所述第二区域的下方，所述第二体区的另一端远离所述第一区域；制作所述分裂栅的侧墙；对所述多晶硅层进行低阻化处理，并制作第一源区、第二源区和JFET低阻区，所述JFET低阻区位于所述第一源区和所述第二源区之间的外延层内，所述JFET低阻区的深度小于所述第一体区和所述第二体区的深度，宽度小于所述第一源区和所述第二源区之间的距离，大于所述第一区域和所述第二区域之间的距离；制作器件的介质层和金属层。