[发明专利]位线驱动电路及非易失性存储电路有效
| 申请号： | 201610094461.9 | 申请日： | 2016-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN107103932B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 權彞振;倪昊;许家铭;刘晓艳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/24 | 分类号： | G11C16/24;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种位线驱动电路及一种包括位线驱动电路的非易失性存储电路，通过利用NMOS晶体管的更高的栅极和基底的电压差来提高读传感速度，可以增加传感放大电路读信号的读取速度，进而提高非易失性存储电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 驱动 电路 非易失性 存储 | ||
【主权项】：
一种位线驱动电路，其特征在于，所述位线驱动电路包括：位线充电单元，其连接至第一稳压电源和第一输入信号，以基于所述第一输入信号将存储单元充电至第一稳压电源值；位线驱动单元，其连接至第二输入信号、第三输入信号、高压开关电路的输出端和所述位线充电单元的输出端、以基于所述第二输入信号控制所述存储单元的开启；传感放大电路保护单元，其连接至第四输入信号、所述高压开关电路的输出端和传感放大电路的输入端，以控制所述传感放大电路的输入电压；第二稳压电源，其与所述位线充电单元、所述位线驱动单元和所述传感放大电路保护单元相连。第三稳压电源，其与所述位线驱动单元和所述传感放大电路保护单元相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610094461.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
