[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201610080725.5 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105938726B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 前嶋洋 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/26;G11C16/30 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张世俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够降低消耗电力的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1导电型的第1阱(21)、设置在第1阱(21)的上方且包含第1存储元晶体管(MT)的存储元阵列(111)以及与第1存储元晶体管(MT)连接的第1配线。在擦除第1存储元晶体管的数据时，对第1配线施加正的第1电位，且在擦除数据时，第1阱(21)在电浮动状态下上升到正的第2电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：/n第1导电型的第1阱；/n存储元阵列，设置在所述第1阱的上方，且包含第1存储元晶体管；以及/n第1配线，与所述第1存储元晶体管连接；且/n在擦除所述第1存储元晶体管的数据时，对所述第1配线施加正的第1电位，/n在擦除所述数据时，所述第1阱在电浮动状态下上升到正的第2电位。/n
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