[发明专利]非易失性存储电路及其读、写、存储和恢复方法

摘要

一种非易失性存储电路及其读、写、存储和恢复方法，所述非易失性存储电路包括：静态随机存取存储电路和阻变式存储电路；静态随机存取存储电路包括：双稳态锁存单元，具有第一和第二锁存点；在字线的控制下导通或关断的第一和第二传输单元，第一传输单元两端分别连接第一位线和第一锁存点，第二传输单元两端分别连接第二位线和第二锁存点；阻变式存储电路包括：控制单元、第一和第二阻变式存储单元；控制单元输入第一开关控制信号，控制单元还分别连接第一锁存点及第一阻变式存储单元和第二阻变式存储单元的第一端，第一开关控制信号控制控制单元导通或关断；第一和第二阻变式存储单元的第二端分别连接第二和第一位线。本发明功耗小，集成度高。

主权项

1.一种非易失性存储电路，其特征在于，包括：静态随机存取存储电路和阻变式存储电路；其中，所述静态随机存取存储电路包括：双稳态锁存单元，具有第一锁存点和第二锁存点，所述第一锁存点和第二锁存点所存储的数据相反；第一传输单元，其第一端连接第一位线，其第二端连接所述第一锁存点，其控制端连接字线，所述第一传输单元在所述字线的控制下导通或关断；第二传输单元，其第一端连接第二位线，其第二端连接所述第二锁存点，其控制端连接字线，所述第二传输单元在所述字线的控制下导通或关断；所述阻变式存储电路包括：控制单元、第一阻变式存储单元和第二阻变式存储单元；其中，所述控制单元的第一输入端输入有第一开关控制信号，所述控制单元的第二输入端连接所述第一锁存点，所述控制单元的输出端连接所述第一阻变式存储单元的第一端和所述第二阻变式存储单元的第一端，所述控制单元在所述第一开关控制信号的控制下导通或关断；所述第一阻变式存储单元的第二端连接所述第二位线；所述第二阻变式存储单元的第二端连接所述第一位线。