[发明专利]光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201610076681.9 | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN106597807B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 李锡薰;金台勋 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法,实现具备CD精度更高的转印用图案的光掩模。具有以下工序:准备在透明基板上形成了遮光膜的光掩模坯体;对遮光膜进行构图来形成遮光部;在进行了构图后的遮光膜上形成半透光膜;以及通过对半透光膜进行构图,来形成在透明基板上由半透光膜形成的第1半透光部、在透明基板上由膜厚比第1半透光部中的半透光膜小的半透光膜形成的第2半透光部、和露出透明基板的透光部,半透光膜由通过与遮光膜相同的蚀刻剂进行蚀刻的材料形成。在对半透光膜进行构图的工序中,实质上仅蚀刻半透光膜。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 显示装置 | ||
【主权项】:
一种光掩模的制造方法,所述光掩模在透明基板上具备转印用图案,所述转印用图案包含分别对半透光膜和遮光膜进行构图而得到的透光部、遮光部、第1半透光部和第2半透光部,且所述第1半透光部和所述第2半透光部的光透射率相互不同,所述光掩模的制造方法的特征在于,具有以下工序:准备工序,准备在所述透明基板上形成了遮光膜的光掩模坯体;遮光膜构图工序,对所述遮光膜进行构图来形成遮光部;半透光膜形成工序,在进行了所述构图后的遮光膜上形成半透光膜;以及半透光膜构图工序,通过对所述半透光膜进行构图,形成在所述透明基板上由半透光膜形成的第1半透光部、在所述透明基板上由膜厚比所述第1半透光部中的半透光膜小的半透光膜形成的第2半透光部、和露出所述透明基板的透光部,在所述半透光膜形成工序中,利用通过与所述遮光膜相同的蚀刻剂进行蚀刻的材料,来形成所述半透光膜,在所述半透光膜构图工序中,实质上仅蚀刻所述半透光膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610076681.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜光罩、贴合辅具、贴合与曝光辅助装置
- 下一篇:多功能曝光平台
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备