[发明专利]一种沟槽式MOS肖特基二极管在审
| 申请号： | 201610075455.9 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN105514178A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 黄仲濬;蒋文甄 | 申请（专利权）人： | 泰州优宾晶圆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225500 江苏省泰州市姜*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽式MOS肖特基二极管，包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面，该发明的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 mos 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种沟槽式MOS肖特基二极管，其特征在于：包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面。
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