[发明专利]半导体装置的制造方法和系统有效
| 申请号： | 201610073030.4 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN107026113B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法和系统，涉及半导体技术领域。其中，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上进行成核处理，以形成金属的成核层；在成核层上以第一温度进行第一沉积，以形成所述金属的第一层；以第一气体作为刻蚀源气体回刻所述金属的第一层；在回刻步骤之后，以第二气体作为清洗气体对回刻后的衬底进行清洗；以及在清洗步骤之后，在回刻后剩余的所述金属的第一层上进行第二沉积，以形成所述金属的第二层。本发明实施例可以使得沉积的金属的厚度更均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上进行成核处理，以形成金属的成核层；在成核层上以第一温度进行第一沉积，以形成所述金属的第一层；以第一气体作为刻蚀源气体回刻所述金属的第一层；在回刻步骤之后，以第二气体作为清洗气体对回刻后的衬底进行清洗；以及在清洗步骤之后，在回刻后剩余的所述金属的第一层上进行第二沉积，以形成所述金属的第二层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
